Кампус НИИ ФПМ

Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники при национальном университете Узбекистана

В целях качественного выполнения программных задач, обозначенных в Указах Президента Республики Узбекистан «О мерах по дальнейшему расширению участия отраслей экономики и отраслей в повышении качества подготовки высококвалифицированных специалистов» от 27 июля 2017 года УП-3151 и «О мерах по дальнейшему укреплению инфраструктуры научно-исследовательских учреждений и развитию инновационной деятельности» УП-3365 от 1 ноября 2017 года, а также исходя из потребностей реальных отраслей экономики страны, проведения глубоких фундаментальных и экспериментальных исследований в области физики, разработки инновационных технологий а также широкого вовлечения молодых ученых и студентов в научный процесс, Постановлением Кабинета Министров Республики Узбекистан №468, на базе лаборатории прикладной физики физического факультета Национального университета Узбекистана имени Мирзо Улугбека создан Научно-исследовательский институт физики полупроводников и микроэлектроники.

Укрепление научного сотрудничества, модернизация образования при реализации задач, определенных в Указе Президента Республики Узбекистан № УП-5032 «О мерах по повышению качества образования и совершенствованию научных исследований в области физики» от 19 марта 2021 года, Постановлении Кабинета Министров Республики Узбекистан №639 “О мерах по развитию альтернативной энергетики, электротехники и микроэлектроники, государственной поддержке повышения эффективности исследований в области физики полупроводников, а также о мерах по укреплению научно-исследовательского института физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана имени Мирзо Улугбека” от 12 октября 2021 г., а также в других нормативно-правовых документах, связанных с этой деятельностью создает возможности для дальнейшего повышения эффективности реформ в сфере образования.

Основные задачи института заключаются в проведении фундаментальных и прикладных научных исследований, инновационных проектов в области физики полупроводников, полупроводниковой микроэлектроники, материаловедения, гелиофизики и альтернативных источников энергии, а также в участии в формировании приоритетов в этой области, в том числе посредством организации научно-исследовательских проектов в форме кластеров, их реализации , а также анализе современных тенденций развития физики полупроводников и микроэлектроники в мире. Одной из основных задач института является установление и развитие международных связей в области физики полупроводников и полупроводниковой микроэлектроники, разработка и реализация совместных международных проектов, а также организация и проведение международных научных конференций и симпозиумов. Сегодня в высших учебных заведениях большое внимание уделяется повышению качества преподавания физики, внедрению в учебный процесс современных методов обучения, отбору талантливых студентов, подготовке конкурентоспособных специалистов для рынка труда, развитию научных исследований и инноваций, ориентации на практические результаты. Научные исследования проводятся в 8 научных лабораториях и уникальном научном объекте «Электростатический ускоритель ЭГ-2 СОКОЛ» института.