Последние новости
Последние события и новости из жизни института
Конференции
Расписание конференций, проводимых в институте
Научные лаборатории
Ведущие центры исследований и инноваций нашего института
- Все лаборатории
- Физика
- Электроника
- Энергетика
Стажировки и научные поездки
Наши ученые на международных стажировках и совместных исследованиях
Научные работы
Встреча с учеными
Награждение
Платформа Zoom
Международное сотрудничество
Наши ученые
Голографическая интерферометрия, разработка и исследование элементов голографических цифровых интерферометрических устройств, изучение голографической записи информации в различных обратимых фоточувствительных средах, в том числе фоторефрактивных кристаллах, полупроводниковых материалах и гетероструктурах, а также наноматериалах.
Азаматов Закиржан Тахирович
ПрофессорЭкспериментальное исследование процессов образования термических и радиационных дефектов на поверхности и в объеме монокристаллического кремния и других полупроводниковых материалов
Хамдамов Жонибек Жумаевич
PhD по физико-математическим наукамРешение проблем связанных с воздействием факторов окружающей среды (плотность и состав солнечной радиации, температура и относительная влажность окружающего воздуха, скорость ветра, атмосферное давление, загрязнённость атмосферы, осадки и др.) на эксплуатационные параметры и характеристики фотоэлектрических и солнечных теплопреобразовательных систем
Тукфатуллин Оскар Фаритович
PhD по техническим наукамИзучение фундаментальных свойств и взаимодействия твердотельных материалов в конденсированном атомарном и молекулярном состояниях. Исследование магнитных свойств полупроводников и квантовых материалов. Исследование магнитотранспортных явлений в конденсированных полупроводниковых структурах с кристаллической решеткой
Тургунов Нозимжон Абдуманнопович
ПрофессорИсследование структурных изменений различных материалов под воздействием ядерных излучений, а также их электрофизических свойств в степени радиационной стойкости.
Сайдимов Якуббай Атабаевич
Доктор физико-математических наукРазработка новой технологии создания фотодетекторов на основе термостабильного кремния с комбинацией CdTe, CDS,zncdte и пленок SnO2, In2, O3, ito, CDO, mo2o3, а также полупроводниковых оксидов широкого спектра действия